图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:297 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:297 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:1802 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1315pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 165W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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